要想生产制造芯片，就必须得有光刻机，因为其是生产制造芯片的必要设备。

全球范围内，ASML的光刻机技术最为先进，其生产制造的DUV光刻机和EUV光刻机几乎占领了中高端市场，更是生产制造28nm以下芯片的必要设备。

但由于芯片等规则被修改，结果导致台积电、ASML等企业均不能自由出货。

要知道，海思芯片都是台积电代工生产制造的，台积电不能自由出货，海思系列芯片就暂时无法生产制造。

ASML也不能自由出货，华为想用ASML的设备自建生产线也难。

在这样的情况下，华为开始全面进入芯片半导体领域内，不仅自研更多种类的芯片，还要在新材料和终端制造方面实现突破。

早些时候，华为方面正式对外表示没有计划自建芯片生产线，因为其涉及的产业链过于庞大，没有任何一个厂商可以做到。

但就芯片问题，华为也道出了解决办法。

华为方面称芯片等规则被多次修改，已经让产业链看清楚的情况，未来三五年，必然会有新的芯片产业链出现，届时，华为芯片问题也随之解决。

从华为给出的说法来看，这是绕过ASML，直接通过产业链突破的方式解决芯片问题。

简单说就是，华为将芯片问题的希望放在芯片产业链上，国内芯片产业链突破了，华为芯片问题就随着解决，或者说其它企业采用了非美技术打造的芯片技术等。

当然，华为之所以这么做，主要是因为芯片研发投资实在太大了，关键是产业链太长，即便是华为从头开始做，基本上也是出力不讨好。

因为华为缺少的是先进制程的芯片高端芯片，而这些芯片制造基本上都离不开ASML的EUV光刻机，但ASML不能自由出货，连外企中国分厂出货都不行。

当然，除了光刻机之外，还有其它因素的影响，像EDA软件、芯片制造所需要的原材料以及其它技术等。

中芯国际都表示，想要在10nm以下芯片上实现突破，这是比较难的。

所以华为换个了一个赛道，其通过哈勃不断投资国内相关芯片产业链，目的就是加速产业链突破，毕竟，术业有专攻。

另外，华为自身也在研发相关芯片技术，主要集中在两点。

第一点，堆叠技术芯片。

堆叠技术芯片并非什么先进的技术，该技术早就出现了，不同的是，过去主要都是英特尔、AMD等厂商在用，而堆叠技术的芯片往往也是用在超级计算机等大型设备上。

如今，苹果推出了堆叠技术芯片，并将该芯片带到了消费者市场，这让华为看到了在消费者市场使用堆叠芯片的希望。

华为自身都表示未来将会采用堆叠技术的芯片，让华为产品也有高性能芯片可用。

第二点，光电芯片。

光电芯片是完全可以绕开美技术的芯片，任正非也明确表达了这一观点，所以华为早就计划在英投资超10亿英镑建设研发中心，主要就是研发光电芯片。

当然，华为目前在光电芯片领域内处于领先地位，但华为研发光电芯片并不仅仅是为了彻底打破美芯的限制，也是因为光电芯片属于下一代芯片技术。

数据显示，相比传统的硅芯片而言，光电芯片拥有更快的传输速度、更大的传输量，其更适合万物联网和光通讯。

也正是因为如此，荷兰也已经计划投资11亿欧元到光电芯片领域内，希望在下一代芯片技术依旧能够保持领先。

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