8月2日消息，据路透社报道，四名知情人士透露，美国考虑限制对中国出口美国芯片制造设备。根据正在研拟的计划，美国将禁止向中国出口用于制造128层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备，而出口限制对象包括长江存储技术有限公司以及其他存储芯片厂商在中国大陆的工厂，如韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士。

据悉，三星在中国有两家大型工厂，而SK海力士正在收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务。

也就是说，一旦美国的限制计划获得批准，限制范围将扩大到包括禁止将美国芯片制造设备运往在中国大陆境内的NAND Flash工厂。

禁售令一出，长江存储或遭到严重限制

虽然目前针对相关计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序，但美国商务部就该计划明确指出，美国政府的重点是削弱中国制造先进半导体的能力。

出口管制的相关专家表示，该项计划将是美国首次通过出口管制来针对中国生产没有专门军事用途的存储芯片，意在阻止中国半导体行业发展，保护美国公司。

数据显示，在NAND闪存市场中，三星、铠侠、美光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家长期垄断者全球95%以上的份额。

而美国仅有的两家存储芯片生产商分别为西部数据和美光科技，这两家公司合计约占全球NAND Flas芯片市场约四分之一的份额。

从研究机构此前公布的数据来看，去年一季度和二季度，三星电子是第一大供应商，市场份额远高于其他厂商，铠侠和SK海力士分别是第二大和第四大供应商，而美光是全球第五大NAND闪存供应商，西部数据则是第三大供应商。

值得注意的是，西部数据的闪存产能都是源自其与铠侠合资的闪存厂，其在美国本土并没有NAND Flash产能，而美光在美国本土也只有部分产能。

Yole的数据显示，中国NAND芯片产量的全球占比已从2019年的不到14%增长至今年的23%以上，而同期美国的产量从2.3%下降至1.6%。对于美国公司来说，他们几乎所有的芯片生产都是在海外完成的。

今年3月，铠侠宣布划与西部数据合作，在其位于日本北部的工厂共同建设一座新的NAND Flash生产线。据知情人士称，该项目的投资可能达到1万亿日元（约527亿元人民币）左右，两家公司计划讨论包括投资比例在内的合资细节。今年5月份，外媒报道称西部数据考虑分拆NAND Flash业务，并提议投资10亿美元协助出售或进行分拆事宜。

相比之下，尽管中国是全球第二大NAND市场，但大陆自制率几乎为0%。

不过，长江存储作为中国NAND Flash闪存制造领域的后起之秀，近年来也一直在发力。

调研公司Counterpoint Research数据显示，2019年首次投产64层NAND闪存时，长江存储在全球闪存市场的份额为1.3%。此后迅速上升，到2021年时其市场份额达到4.8%。

今年6月，据日经新闻援引知情人士报道称，长江存储在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。此举有望进一步缩小长江存储与三星和美光在技术和产量方面的差距。如果2023年和2024年开发进展顺利，可能会转向更尖端的芯片，如196层或232层 3D NAND闪存。

2021年6月，据美国政府的一份报告中指出，包括美光和西部数据正面临长江存储产品的低价竞争压力，长江存储的扩张和低价产品对美光和西部数据构成直接威胁。报告强调，长江存储作为中国NAND Flash闪存芯片制造龙头，还获得了约240亿美元的政府补贴。

尽管存储芯片有所突破，但取代美国芯片制造设备并非易事，现如今制造存储芯片的设备，仍不得不依赖美国、日本的厂商。

2020年时，长江存储负责供应链管理的联席总经理郑久利表示，长江存储有逾80％的设备来自美国和日本。尽管一些中国供应商在蚀刻、清洁和涂覆等领域取得了突破，但国内的替代品还不足以替代一切。郑久利说，美国和日本供应商对创新和研发的长期投资造就了技术优势。这也是它们的产品目前处于主流并且难以替换的原因。

对于存储芯片行业来说，闪存芯片的层数越多，芯片就越先进，开发和商业化生产就越难。

当前，长江存储约40%的产量仍是128层 3D NAND闪存，这是迄今为止中国芯片制造商生产的最先进的产品，其余主要为64层3D NAND闪存。

反观三星、美光和 SK 海力士，现都成功生产了市场上最先进的产品，即176层 3D NAND闪存芯片。与此同时，他们也在竞相开发200多层的芯片。而Kioxia和西部数据也都将在今年年底前制造162层 3D NAND闪存。

因此，未来一但美国禁止出口生产128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片的生产设备给长江存储，长江存储可能将因此而受困，未来很难有再向前发展的道路。

美国加码出口禁令：断供14nm芯片制造设备

自2019年以来，美国持续将一些关键的半导体行业公司列入“实体清单”。进入实体名单意味着上述公司未经许可不得与美国公司进行任何商业交易，包括无法从美国进口原材料及生产设备，无法利用美国研发成果或技术进行生产等。

到目前，美国的出口和商务往来禁令，已使华为自研芯片的制造和供应受重挫，中芯国际也因无法进口极紫外光（EUV）光刻设备，令其难以制造10纳米以内制程的芯片。

新思科技也因涉嫌向华为和中芯国际提供芯片技术，遭美国商务部调查。

去年11月，美国商务部官网在实体清单上新增了12家中国科技公司/机构，这12家公司/机构中过半数均涉足半导体领域，总共有7家公司分别是：新华三半导体、西安航天华迅、杭州中科微、国科微、苏州云芯微、宝利亚太和嘉兆科技。这其中除了嘉兆科技是一家主营设备、器件进口的贸易公司外，其余6家公司均为芯片厂商，产品涵盖卫星导航定位芯片、存储芯片、模拟及混合信号集成电路和通信芯片领域。此外，名单上剩余的5家公司，分别来自量子计算机、材料、矿业开发等领域。

除此之外，前两天，美国再次悄然收紧对中国的芯片设备出口限制。

据彭博社7月30日报道称，美国两家芯片设备公司泛林半导体（Lam Research）和科磊（KLA）已证实，美国对中国芯片的打压已从10纳米扩展到了14纳米，且新规影响范围可能不限于中芯国际，还包括其他在中国投资运营的芯片制造企业，如台湾地区的台积电等。

科磊总裁兼首席执行官华莱士表示，该公司已收到美国商务部通知，要求他们不要向中国供应用于14纳米及以下芯片制造的设备。

知情人士透露，在过去两周左右的时间里，所有美国设备制造商都收到了美国商务部的信件，要求它们不得向中国供应用于制造14纳米或以下芯片的设备。泛林及科磊的表态只不过是最早披露出来的有关美国进一步打压中国芯片产业的具体例证。

雷峰网了解到，此前美国正在劝说日本、荷兰等国家禁止ASML、尼康等相关企业向中国出售芯片制造相关的主流技术。

其中最为关键的是荷兰ASML公司生产的光刻机。此前美国政府已经设法禁止ASML公司向中国出售用于当前先进制程的EUV光刻机，目前美国则想更进一步，使中国无法获得ASML公司生产的DUV光刻机。